南方科技大学是由中国广东省领导和管理、深圳市举全市之力创建的一所公办创新型大学,目标是迅速建成国际化高水平研究型大学,建成中国重大科学技术研究与拔尖创新人才培养的重要基地……

南方科技大学以学分制、导师制、书院制为基础,以人才培养的个性化、小班化、国际化为特色,通过为一流的人才培养体系,培养人格健全、基础扎实、能力突出、具有国际视野、社会责任感、创新精神和实践能力的高素质人才。

南方科技大学被确定为国家高等教育综合改革试验校。2012年4月,教育部同意建校,并赋予学校探索具有中国特色的现代大学制度、探索创新人才培养模式的重大使命。

南方科技大学对本科学生采用书院制管理模式,以书院、团委、社团等平台为载体,为学生营造了精彩的大学生活。

南方科技大学本科招生采用基于高考的综合评价录取模式,即高考成绩占60%,我校自主组织的能力测试成绩占30%(其中面谈成绩为5%),高中学业水平考试成绩占10%,按考生“631”综合成绩排名从高到低录取。综合评价录取模式由我校在2012年率先实施。

南科大教育基金会由理事会、监事会、秘书处组成。理事会是基金会的最高权力机构;监事会负责检查财务和会计资料,监督理事会遵守法律和章程的情况;秘书处是基金会常设办事机构,在理事会领导下负责基金会的日常工作。

学校党委切实履行党建工作职责,不断强化班子建设和基层党组织建设,充分发挥好党委对学校各项工作的核心统领作用和各党支部的战斗堡垒作用,切实开展组织统战和党风廉政建设各项工作。学校高度重视群团组织建设,充分调动全体师生员工积极性,维护教职工的合法权益,推进学校民主管理,促进学校健康发展,全力营造齐心协力、团结向上、奋发有为的干事创业氛围。

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师资队伍

于洪宇


教授

电子与电气工程系

0755-88018508

yuhy@sustc.edu.cn


背景介绍:

于洪宇教授,国家首批“青年千人计划”入选者,入选深圳市孔雀计划,2011年起在南方科技大学任教授和副主任。于教授1999年在清华大学获得学士学位,2001年在多伦多大学获得硕士学位,2004年在新加坡国立大学获得博士学位,2004-2008年在比利时鲁汶IMEC担任资深研究员和项目负责人,2008-2011年在新加坡南洋理工大学担任助理教授,于洪宇教授主要研究工作集中在集成电路微纳米电子器件,主要包括纳米尺度CMOS 器件与工艺、新型超高密度存储器、硅基太阳能电池等方向,取得的一系列创新性工作。共发表期刊论文160篇左右(其中148篇被SCI收录),其中以第一作者/通讯作者身份在IEEE Electron Device Letters、Transaction on Electron Devices、Applied Physics Letters、Small、Scientific Reports等学术期刊发表论文近80篇,综述性邀请文章5篇。发表会议论文150余篇,其中以第一作者/通讯作者身份在Symposia on VLSI Technology和International Electron Devices Meeting 两个国际微电子领域顶级学术会议发表论文14篇。发表论文被引用近3800次,他引>3400次, H因子32(SCI)。受邀在Microelectronics Reliability、Crystals等撰写特邀综述,在《Solid State Circuits Technologies》、《Nonvolatile Memories: Materials 、Devices and Applications 》、《Applied Nanotechnologies》、《Energy Efficiency and Renewable Energy through Nanotechnology》4本专著撰写部分章节。相关成果已经申请美国及欧洲专利23项,国内专利10项。承担国内外科研项目和人才计划近20项,资助金额超过5000万元。

 

教育经历:

2004年,获得新加坡国立大学电机与计算机工程系博士学位;

2001年,获得加拿大多伦多大学材料系硕士学位;

1999年,获得清华大学材料系学士学位。

 

工作经历:

2011年至今,南方科技大学,教授,副主任

2008年至2011年,新加坡南洋理工大学电子与电工工程学院微电子系,助理教授。纳米器件实验室,副主任;

2004年至2008年,比利时鲁汶IMEC(全球著名微纳电子研发中心),资深研究员及项目负责人;

2003年至2004年,新加坡国立大学电机系,研发工程师。

 

研究领域

氮化镓功率器件与系统集成(GaN power device and system integration);

片式多层陶瓷电容器(Multi-layer Ceramic Capacitor)。

 

所获荣誉:

第一批青年千人计划入选者

深圳市海外高层次人才“孔雀计划”入选者

鹏城学者

深圳市政府特殊津贴

南科大杰出科研奖

英国工程技术学会,会士

新加坡国大校长奖学金, 2002

IEEE 电子器件协会博士生奖学金, 2004

VLSI会议亮点文章, 2007

南洋”助理教授奖, 2008

陈振传学术交流奖, 2009

MRS-ICMAT最佳Poster奖: 太阳能电池工作, 2011

 

代表文章:

*表示通讯作者

(1) H. Wang, N. Wang, L.L Jiang, X.P. Lin, H.Y. Zhao, H.Y. Yu*. A novel enhancement mode AlGaN/GaN high electron mobility transistor

with split floating gates, Chinese Physics B, 2017, 26(4): 047305.

(2) B. Dong, J. Lin, N. Wang, L.L Jiang, Z.D. Liu, K. Cheng, H.Y. Yu*. Investigation of gate pulse induced interface trap behaviours and its relationship with threshold voltage instability in Algan/Gan-On-Si MIS-Hemts. International Conference on Advanced Electronic Science and Technology, 2016.

(3) B. Dong, J. Lin, N. Wang, L.L. Jiang, Z.D. Liu, X.Y. Hu, K. Cheng, H.Y. Yu*. Trap behaviours characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors by room-temperature transient capacitance measurement. Aip Advances, 2016, 6(9): 450-1170.

(4) T.L. Duan, S.X. Zhang, L.L. Jiang, B. Tang, J. Yan, C. Zhao, H.L. Zhu, H.Y. Yu*. Overshoot stress on ultra-thin HfO2 high- layer and its impact on lifetime extraction. IEEE Electron Device Letters, 2015, 36(12): 1-1.

(5) L. Hong, Rusli, X.C. Wang, H.Y. Zheng, H. Wang, X.Y. Xu, H.Y. Yu*. Light trapping in hybrid nanopyramid and nanohole structure silicon solar cell beyond the Lambertian limit. Journal of Applied Physics, 2014, 116(7): 074310.

(6) W.J. Liu, X.A. Tran, Z. Fang, H.D. Xiong, H.Y. Yu*. A Self-Compliant One-Diode-One-Resistor Bipolar Resistive Random Access Memory for Low Power Application. IEEE Electron Device Letters, 2014, 35(2): 196-198.

(7) W.J. Liu, X.W. Sun, X.A. Tran, Z. Fang, Z.R. Wang, F. Wang, L. Wu, J.F. Zhang, J. Wei, H.L. Zhu, H.Y. Yu*. Observation of the Ambient Effect in BTI Characteristics of Back-Gated Single Layer Graphene Field Effect Transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60(8): 2682-2686.

(8) W.J. Liu, J. Wei, X.W. Sun, H.Y. Yu*. A Study on Graphene—Metal Contact. Crystals, 2013, 3(1):257-274.

(9) Z. Wang, H.Y. Yu*, X.A. Tran, Z. Fang, J.H. Wang, H.B. Su. Transport properties of HfO2−x based resistive-switching memories. Physical Review B Condensed Matter, 2012, 85(19): 2202-2208.

(10) H.Y. Yu*, Y. Sun, N. Singh, G.Q. Lo, D.L. Kwong. Perspective of flash memory realized on vertical Si nanowires. Microelectronics Reliability, 2012, 52(52): 651–661.

 

专著:

(1) H.Y. Yu. Hafnium: Chemical Characteristics, Production and Applications, Nova Science Publishers, 2014.

(2) H.Y. Yu*. Electrical properties of ultrathin hafnium-based high-K dielectrics and their applications insub-22 nm CMOS devices, Nova Science Publishers, 2014.

(3) J.S. Li, H.Y. Yu*. Enhancement of Si-based solar cell efficiency via nanostructure integration, Springer, 2011.

(4) H.Y. Yu*. Metal Gate Electrode and High-K Dielectrics for Sub-32 nm Bulk CMOS Technology: Integrating Lanthanum Oxide Capping Layer for Low Threshold-Voltage Devices Application, IN-TECH, 2010.

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